9月20日,长鑫科技(688825.SH)在2026世界制造业大会上正式发布第五代DRAM技术平台(G5平台),并同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。公司副总裁骆晓东在大会开幕式上表示,基于该平台的产品已经正式量产,并全面进入国产主流旗舰手机市场。
本次大会上,长鑫科技8月底宣布量产的LPDDR6芯片首次公开展出,搭载长鑫LPDDR5X内存的全球首款AI智能体手机“豆包手机”也同台亮相。
G5平台的技术突破
骆晓东在开幕式上介绍,G5平台依托创新的四重曝光技术,把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米,接近全球最顶尖的内存量产平台制程。平台通过变革工艺流程、采用新材料,使存储电容深宽比达到45:1;同时开发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅(HKMG)工艺,将核心功能区高度缩小到6762纳米。
在研发方式上,长鑫科技在第五代平台开发过程中引入了AI大模型和全流程数字孪生仿真技术,公司称这大幅提升了研发效率。
微缩工艺的突破推动存储密度跨越式提升:每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少50%,在产品能效和成本控制上均具备明显优势。

LPDDR5X新品与量产
本次大会同步展出两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品,单颗容量均为24Gb,较上一代同类型产品提升50%。两款产品分别采用496Ball和245Ball封装规格,可适配中高端智能手机、便携式消费电子等不同场景需求,目前均已进入规模量产阶段。
据现场工作人员介绍,LPDDR5X即第五代超低功耗双倍数据速率同步动态随机存储器,应用场景主要包括智能手机、可穿戴设备、平板电脑等移动设备。产品依托公司最新自研第五代技术平台,核心性能实现全维度升级。
长鑫科技表示,目前已推出两类封装规格,率先适配智能手机场景,并将持续迭代丰富产品矩阵,覆盖更广泛的终端应用需求。

LPDDR6首次亮相
长鑫科技8月底刚刚宣布量产的LPDDR6芯片在本次大会上首次公开展出,与LPDDR5X新品一同陈列,引起观众围观。公司方面告诉财联社记者,LPDDR6已实现量产,并将首批搭载于小米18 Fold折叠旗舰手机。
据披露,这是中国存储企业首次在高端内存标准上实现全球首发量产。该芯片最高传输速率达12800Mbps,较上一代LPDDR5X提升速率约20%,功耗降低20%,并通过设计、工艺等方面创新提升了产品可靠性与性能。
此前8月底,长鑫科技LPDDR6将落地小米玄戒O3芯片的消息已引起市场广泛关注。
豆包手机同台展示
展会现场,长鑫科技还展示了全球首款AI智能体手机“豆包手机”。该机由中兴通讯与字节跳动联合研发,搭载长鑫LPDDR5X内存。
据长鑫存储官方微博发布的消息,努比亚NaviXUltra搭载长鑫最高速率10667Mbps的LPDDR5X内存,这是国产10667Mbps高速率LPDDR5X芯片首次实现量产应用。
财联社记者在现场注意到,长鑫科技展台前围绕多名观众,LPDDR5X新品与LPDDR6芯片均成为关注焦点。
从DDR4到G5的迭代
骆晓东在会上回顾了公司的技术升级路径:2019年的世界制造业大会上,长鑫科技正式官宣第一代技术平台DDR4内存芯片投产。此前DRAM产品长期被海外垄断,公司推出了国内首颗自主研发的DRAM内存芯片。
此后,长鑫科技完成从第一代到第四代技术平台的迭代,产品从DDR4不断升级,并实现DDR5量产。骆晓东表示,公司近期刚和小米宣布全球首发量产先进的低功耗存储器,研发生产水平已跻身全球前列。
从DDR4投产到G5平台量产,长鑫科技的技术平台已历经五代更替,产品线覆盖DDR4、DDR5及低功耗存储系列。
要点
- G5平台内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米
- 每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少50%
- 两款LPDDR5X新品单颗容量均为24Gb,提升50%
- LPDDR6最高传输速率12800Mbps,功耗降低20%
- 豆包手机由中兴通讯与字节跳动联合研发

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